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Encriptación de datos avanzada utilizando dispositivos fabricados con materiales bidimensionales

Un miembro del instituto ha participado en un trabajo en la revista “Advanced materials” donde se propone la fabricación de un generador de números aleatorios (en inglés se le conoce como “True random number generator”) basándose en las propiedades estocásticas del funcionamiento de los memristores. Estos nuevos dispositivos electrónicos presentan propiedades excepcionales para aplicaciones relacionadas con memorias no volátiles, computación neuromórfica y criptografía hardware.

A diferencia de los memristores fabricados con óxidos de metales de transición, más habituales, en este caso se hace uso de nitruro de boro hexagonal multicapa. La utilización de capas de este nuevo material, que tiene una estructura bidimensional, permite desarrollar una tecnología para la generación de números aleatorios con un alto grado de aleatoriedad, incluso para cadenas largas de bits, que son ideales para su uso en criptografía. En particular, es interesante la aplicación para producción de claves de un solo uso que se pueden utilizar para métodos seguros de pago con móviles o para conexiones a redes o servicios encriptados en el contexto del “Internet-Of-Everything”. Los memristores basados en nitruro de boro hexagonal tienen un consumo muy bajo, lo que permite su uso en aplicaciones portables, donde la duración de la batería es esencial.

A la derecha el profesor Mario Lanza (Physical Sciences and Engineering Division King Abdullah University of Science and Technology (KAUST)), a la izquierda Juan Bautista Roldán catedrático del departamento de Electrónica de la UGR.

Datos del artículo.

Publicado en la revista Advanced Materials (factor de impacto 2020 de 27.3) y coordinado por el profesor Mario Lanza de la King Abdullah University of Science and Technology (KAUST) de Arabia Saudi.

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adma.202100185

Trabajo conjunto en el que, además, han participado otros grupos de investigación:

  • Institute of Functional Nano and Soft Materials (FUNSOM) Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology Soochow University (China)
  • Dipartimento di Ingegneria “Enzo Ferrari” Università di Modena e Reggio Emilia Modena 41125, Italy
  • IMEC (Belgica)
  • Catalan Institute of nanoscience and Nanotechnology
  • School of Physical Science and Technology ShanghaiTech University (China)
  • Departamento de Electrónica (Universidad de Granada). En particular, el profesor Juan Bautista Roldán, del grupo de investigación “Nanoestructuras, propiedades cuánticas y aplicaciones tecnológicas”.
  • Department of Electrical Engineering, Stanford University (USA)
  • Department of Electronic and Biomedical Engineering (Universitat de Barcelona)

CONTACTO
Juan B Roldán Aranda
Departamento Electrónica y Tecnología de los Computadores
Facultad de Ciencias
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Tel +34 958244071
Universidad de Granada (Spain)